IRF7455TRPBF - 深圳市柏利欣科技有限公司

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详细信息

相关参数：

IC描述：MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

FET类型：N沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流-连续漏极（ld）（25℃时）：15A（Ta）

驱动电压(最大Rds On,最小Rds On):2.8V，10V

不同ld时的Vgs（th）（最大值）：2V@250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：56nC @ 5V

Vgs （最大值）：+-12V

不同Vgs时的输入电容（Ciss）（最大值）：3480pF @ 25V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

不同ld,Vgs时的Rds On（最大值）：7.5 毫欧 @ 15A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

全新原装正品现货

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